반도체 소자의 이해

제1장 원자 이론
1.1 원자(atom)
1.2 보어(Bohr)의 원자 모형
1.3 원자의 에너지 준위
1.4 파울리의 배타원리(Pauli's exclusion principle)
1.5 원자의 결합
1.6 결정 구조
1.7 에너지 밴드
1.8 Fermi 준위
1.9 전자의 방출
[연습문제]

제2장 반도체 이론
2.1 반도체(Semiconductor) 재료
2.2 자유 전자(Free electron)와 정공(Hole)
2.3 진성(Intrinsic) 반도체와 불순물(Extrinsic) 반도체
2.4 반도체의 전자 분포
2.5 반도체의 전기적 성질
[연습문제]

제3장 반도체 제조 공정
3.1 집적 회로의 제조
3.2 실리콘 단결정 성장
3.3 반도체 공정 기술
[연습문제]

제4장 접합
4.1 물질 간의 접합
4.2 접합의 제조 방법
4.3 열평형 상태의 접합
4.4 헤테로 접합(hetero junction)
[연습문제]
제5장 접합 다이오드
5.1 이상적인 접합 다이오드
5.2 실제 회로에서의 접합 다이오드
5.3 금속과 반도체의 접촉
5.4 금속-절연체-반도체(MIS) 구조
[연습문제]

제6장 각종 다이오드
6.1 제너 다이오드
6.2 터널 다이오드
6.3 쇼트키 다이오드
6.4 가변 용량 다이오드
6.5 발광 다이오드
6.6 광 다이오드
6.7 임팩트 다이오드
6.8 건 다이오드
6.9 레이저 다이오드
[연습문제]

제7장 양극성 접합 트랜지스터
7.1 트랜지스터의 구조
7.2 트랜지스터의 동작
7.3 접지 형식
7.4 이상적 트랜지스터의 해석
7.5 실제의 트랜지스터
7.6 트랜지스터의 주파수 특성
7.7 트랜지스터의 스위칭 특성
7.8 각종 트랜지스터
[연습문제]

제8장 전계 효과 트랜지스터
8.1 접합형 전계 효과 트랜지스터(JFET)
8.2 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
[연습문제]

제9장 집적 회로
9.1 집적 회로의 종류
9.2 집적 회로의 특징
9.3 바이폴라 집적 회로
9.4 MOS 집적 회로
9.5 메모리용 집적 회로
9.6 전하 전송 소자
9.7 메모리 반도체와 비메모리 반도체
[연습문제]

정용성 아주대학교 전자공학과 졸업(공학사)
한양대학교 대학원 전자공학 / 반도체 설계 전공(공학석사)
아주대학교 대학원 전자공학 / 반도체 설계 전공(공학박사)
서라벌대학교 컴퓨터정보학부 교수 역임
현) 두원공과대학교 컴퓨터공학과 교수

[논문]
1.Analytic Models for Temperature Dependent Breakdown Voltages of GaAs and Si Diodes, 공학 박사학위 논문, 아주대학교
2. CLOSED-FORM ANALYTICAL EXPRESSIONS FOR THE BREAKDOWN VOLTAGE OF GaAs PARALLEL-PLANE p+n JUNCTION IN 〈100〉, 〈110〉 AND 〈111〉 ORIENTATIONS
Solid-State Electronics, Pergamon in Great Britain
3. Temperature Dependent Effective Ionization Coefficient for Si
The Third International Conference on Low Dimensional Structures and Devices Poster Session, LDSD, Renaissance Antalya Resort, Antalya, Turkey
4. Temperature Dependent Effective Ionization Coefficient for Si
Microelectronic Engineering
5. Analytical Models for Breakdown Voltage and Specific On-Resistance of 6H-SiC Schottky Diodes
Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, AWAD Commodore Hotel Gyeongju Chosun, Gyeongju, Korea
6. Analytical Models for Breakdown Voltage and Specific On-Resistance of 4H-SiC Schottky Diodes, 대한전자공학회
7. Analytical Expressions for Breakdown Voltage and Specific On-Resistance of 6H-SiC PN Diodes, 대한전자공학회
8. 인공지능 기법을 이용한 논리 게이트 할당, 한국정보과학회
9. 지식기반 3층 채널 배선, 대한전자공학회
10. 인공지능 기법을 이용한 3층 채널 배선에 관한 연구, 공학 석사 학위 논문, 한양대학교
11. 3층 채널 배선 최적화를 위한 Rule-Based System, 대한전자공학회
12. GaAs PN 접합의 항복전압에 대한 해석적인 모형, 대한전기학회
13. GaAs 쇼트키 정류기의 항복전압 모델링, 대한전기학회
14. 〈100〉, 〈110〉 및 〈111〉 방향의 GaAs 평면형 p+n 접합과 원통형 p+n 접합의 항복전압에 대한 해석적 표현, 대한전자공학회
15. 온도를 고려한 GaAs p+n 접합의 해석적 항복전압, 대한전기학회
16. 6H-SiC p+n 접합의 항복전압을 위한 해석적 모형, 대한전자공학회
17. 4H-SiC p+n 접합의 해석적 항복전압, 대한전자공학회
18. 실리콘 전력 MOSFET의 온도 관련 항복전압과 ON 저항을 위한 해석적 표현, 대한전자공학회
19. Si p+n 접합 다이오드의 온도를 고려한 유효 이온화 계수 모델링, 대한전자공학회
20. III-V족 반도체에서 계단형 pn 접합의 해석적 항복전압 모델, 대한전자공학회
21. 전력 반도체 p+n 접합의 해석적 항복전압, 대한전자공학회
22. InP 다이오드에서 항복전압의 해석적 모델, 대한전자공학회