반도체 공학 개념 핵심정리

chapter 01 반도체의 기초
1-1 반도체란 무엇인가? 정의
1-2 에너지 밴드갭(� ? )은 무엇이고 생성 원리는 어떻게 되는가?
1-3 전공책에서의 에너지 밴드갭 그림에 속지 말자
1-4 전자(Electron), 홀(Hole, 정공), 스테이트(State, 상태) 개념 완벽이해
1-5 반도체에서 페르미 레벨과 페르미 디락 분포는 무엇인가? [완벽 개념 이해편]
1-6 열적 평형상태(Thermal equilibrium)에서 Conduction band와 Valence band 내 전자와 홀의 농도
1-7 n-type, p-type 반도체는 어떤 원리로 만들어지나?
1-8 n-type, p-type 반도체의 carrier 농도 계산
1-9 Compensated 반도체란 무엇인가?
1-10 Diffusion current와 Drift current
1-11 Quasi fermi level(준 페르미 레벨)은 무엇인가?

chapter 02 p-n diode 동작 원리
2-1 p-n 접합(junction) 개념 잡기
2-2 공핍층(Delpetion, Space charge region)은 왜 저항이 큰가?
2-3 공핍층과 E-field(전기장)과의 관계는?
2-4 p-n 다이오드 동작 원리 개념 잡기
2-5 공핍층의 폭(W: width)은 외부 전압에 따라 왜 변하지? 물리적 의미는?
2-6 쇼트키(Schottky) Contact와 오믹(Ohmic) Contact 차이점 쉽게 이해하는 법
2-7 Schottky contact로 Ohmic contact를 만드는 방법
2-8 Avalanche breakdown과 Zener breakdown은 어떻게 다른가?

chapter 03 MOSFET 동작 원리와 Short Channel 효과
3-1 MOSFET의 예비 지식
3-2 MOSFET의 동작 원리 이해하기
3-3 MOSFET의 측정(Transfer Curve, Transconductance)
3-4 Short Channel Effect(SCE) 개념 잡기
3-5 Short Channel Effect(SCE) 해결 방법

부록 임원(인성) 면접은 어떻게 준비해야 준비해야 하나?

박재우 공학박사

University of Michigan-Ann Arbor, 전자 공학과(EECS) 박사(반도체전공)
광운대학교, 전자재료공학과 학사, 석사
ㆍ 현) 앤디솔(NDSol/Next Device Solution) 대표
ㆍ 삼성전자, 삼성디스플레이, 임원
ㆍ KAIST, 전기전자공학부, 초빙교수
ㆍ 일본 마츠시타전기, 파나소닉반도체, 교토근무 (참사)
ㆍ 미국 Anadigics (New Jersey), USA, Senior Engineer
ㆍ 대전 국방과학연구소, 연구원

주요 업적 및 수상

ㆍ 자랑스러운 삼성인상 (2010년 삼성전자)
ㆍ 세계 최초 산화물 4마스크 특허 제1발명자 (2012년 삼성디스플레이)
ㆍ 삼성디스플레이 산화물 4마스크 개발 총책임자 (2009~2014년 삼성디스플레이)
ㆍ 상기 산화물 4마스크 특허 이용 세계 최초 산화물 4마스크 양산 성공 및 매출 2조 달성(특허법원 상기 삼성디스플레이 특허 제1발명자로 인정(2022년))
ㆍ 2020년 대한민국을 이끌 미래 100대 기술의 주역(2014년 한국공학한림원)
ㆍ 세계최초 TiO2 기반 투명 박막트랜지스터 구현 (2008년 KAIST)
ㆍ 삼성 휴먼테크 논문대회 동상(1997년)
ㆍ 정 수장학금 (1984~1988년)
ㆍ 광운대 입학성적우수장학생(1983년)