NAND Flash 메모리: 동작특성(Basic Insight)(개정판)

NAND Flash 산업이 시작되고 나서 20여년 가까이 제대로 된 NAND Flash 관련 이론서가 나오지 않다가, 비로서 NAND 제품의 기본동작에 대하여 알 수 있는 책이 출간되었다. 반도체 관련한 책은 많이 나와 있지만, 대부분 반도체 공정에 대한 책들이고, 반도체 제품을 집중적으로 다룬 책은 그리 많지 않다. 그 중에 특히 비휘발성 메모리인 NAND Flash에 관련한 책은 더욱 희귀하다.



이번에 개정판으로 소개되는 'NAND Flash 메모리 동작특성'은 초판이 2015년 7월에 발행되었고, 개정판이 1년 후인 2016년 8월에 나왔다. 이 책은 NAND Flash를 집중적으로 다룬 책으로는 전세계적으로 두번째로 출간된 도서이다. 비휘발성메모리 혹은 NOR Flash 관련한 책은 오래 전에 나오기도 했으나, 오래된 Technology가 소개되어 있거나 혹은 NAND Flash를 전문으로 다룬 책이라 하더라도, 일부 국한된 Engineering을 위한 High level 내용으로써 너무 세부적인 내용으로 치우쳐져 있어서 기초전자지식을 갖고 있는 일반 Engineer들이 접근하기 어렵게 설명 되어있었다. 그런 단점을 보안하기 위하여, 'NAND Flash 메모리 동작특성'은 NAND Flash가 어떻게 동작되는지, NAND Flash의 구성은 무엇인지, 현재의 NAND Flash가 안고 있는 문제점은 무엇인지, 어떤 방향으로 이를 해결해 나아가야 하는지에 대하여, 기본적인 전자관련 지식을 이해하고 있는 Engineer들이 쉽게 접근 할 수 있도록 반도체 Technology와 NAND 제품에 대한 내용을 적절히 배합하여, 전반적인 NAND Flash에 대하여 다루었고, 더불어서 Non-volatile Memory 특히 NAND Flash가 나아가야 할 좌표도 함께 제시하고 있다.



이번에 출간되는 개정판 'NAND Flash 메모리 동작특성'은 그런 의미에서 NAND 제품의 질적 성장을 위한 NAND Flash memory의 이론을 정립하는 계기가 될 것이다. 그리고 이의 이론 정립을 통하여 NAND Flash을 기반으로 한 응용제품에 끼칠 시너지 영향은 크다 하겠다. 더 나아가 'NAND Flash 메모리 동작특성'을 발판으로 NAND 제품 관련 많은 이론서들이 출간되고, 기술의 변곡점에 있는 NAND 및 차세대 제품들의 연구와 개발이 더욱 활성화되어, 반도체 memory 산업발전에 이바지 할 수 있는 디딤돌이 될 책으로 평가된다.

Chapter 01 에너지 양자화와 Fermi 확률함수

Chapter 02 Carrier 생성과 Energy Level

Chapter 03 NAND Flash의 기본 소자, MOSFET 특성

Chapter 04 NAND Flash의 Architecture

Chapter 05 Threshold Voltage와 제품 다변화

Chapter 06 Program, Electron Injection

Chapter 07 Erasure, NAND의 고유특성

Chapter 08 Read, Cell 상태의 구분 및 출력

Chapter 09 NAND의 신뢰성과 불량 Mechanism

Chapter 10 NAND Density 확장 방향



Index

후기

Appendix

진종문 저자 진종문은 한국항공대학교 항공전자공학과 졸업
Motorola Korea Co., Ltd.
- Final Test Quality & Assurance(High Frequency & Optical Device)
현대전자산업(주)
- 반도체 품질보증실(DRAM Memory)
하이닉스 반도체(주)
- 품질보증실(DRAM based Module)
- Mobile & Flash 사업본부 (NAND Flash Memory)
- Flash 개발본부 (NAND Flash Memory)
SK 하이닉스(주)
- Flash Solution 개발본부(NAND Flash Memory)
- NAND Solution 개발본부(NAND based SSD)
수석연구원