CMP 웨이퍼 연마

3차원 웨이퍼 본딩에 필요한 핵심, 웨이퍼 연마공정을 다루다
웨이퍼 연마(CMP)는 기계적 가공기술과 화학적 가공기술이 결합된 다전공적 성격이 강한 핵심 공정장비로서, 반도체 산업의 초창기부터 중요하게 다루어져 왔지만, 최근 들어 3차원 반도체나 웨이퍼레벨 패키징 등과 같이 박형 웨이퍼 적층에 대한 수요가 폭증하면서 관심도가 높아진 분야이다.



화학－기계적 평탄화 가공(CMP)은 뛰어난 반복도와 수용 가능한 수율로 전공정과 후공정을 실현할 수 있도록 만들어주었다.

이 책에서는 전공정과 후공정에서 사용되는 화학－기계적 평탄화 가공(CMP)의 빠르게 발전하는 과학기술과 관련된 다양한 주제들을 다루고 있다. 단순히 형상이 없는 블랭킷 박막과 같은 소재를 제거하는 경우에는 CMP의 P가 연마(Polishing)를 의미한다. 반면에 평탄화 가공(Planarization)이란 패턴의 크기와 밀도가 크게 변하는 표면에 대해서 웨이퍼레벨과 다이레벨에서의 표면 평탄화를 구현하기 위해서 사용되는 CMP의 궁극적인 역할을 명확하게 나타내기 위해서 사용된다. 화학－기계적 평탄화 가공(CMP)은 본질적으로 화학과 기계적 성질을 가지고 있기 때문에 일견 서로 다른 공정인 것처럼 보이는 두 가지 공정들이 서로 상승작용을 일으키므로, CMP의 C와 M을 나타내는 화학과 기계는 공정의 핵심을 이룬다. 화학－기계적 평탄화 가공을 통해서만, 디바이스의 패턴을 생성하기 위해서 사용되는 노광기술의 초점심도 한계를 극복하기 위해서 필수적인 나노스케일의 표면윤곽 균일성을 구현할 수 있다.



이 책의 원저에 삽입된 도표와 본문에서는 다양한 비표준 단위계들이 혼용되어 사용되었으나, 번역과정에서 모두 SI 단위계로 수정하였다. 이 책의 원저에서 광범위하게 사용된 약어들은 가독성을 높이기 위해서 한글로 표기하고 해당 약어는 괄호 속에 표기하였다. 아울러 모든 약어들은 책의 앞부분에 표로 정리해놓았다.